Samsung Electronics начала серийный выпуск по 10-нанометровой технологии первых в отрасли компонентов DDR4 плотностью 8 Гбит и модулей памяти объемом от 4 ГБ до 128 ГБ. Новая память поддерживает скорость передачи данных 3200 Мбит/с в расчете на один вывод, что более чем на 30% выше показателя 20-нанометровой памяти DDR4 DRAM, равного 2400 Мбит/с. Переход к более тонким нормам позволяет снизить себестоимость памяти, обеспечивая Samsung конкурентное преимущество на рынке.